Москва, Народного Ополчения улица 34

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т928В

цена по-запросу

Артикул: bec107db9784 Категория:

Описание

Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор 2Т928В предназначен для использования в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний, а также другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от – 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: Я53.365.034ТУ. Корпусное исполнение – металлический корпус КТ2-7 (TO-39). Зарубежные прототипы – прототип 2N2218.

Технические характеристики
Паpаметpы Буквенное обозначение Ед. изм. Режимы измеpения Min Max
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб=60B 5
Статический коэффициент передачи тока h21Е   Uкб=3B, Iэ=150мA 50 200
Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр МГц Uкэ=10B f=100МГц Iк=50мА 300  
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер Uкэ(нас) В Iк=300мА,Iб=30мA 0,6
Напряжение насыщения база – эмиттер UБЭ НАС В Iк=300мА,Iб=30мA 1,5
Граничное напряжение Uкэогр В Iэ=20мА Iб=0 40
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR мкА Uкб=60B Rбэ=100 Ом 0,6
Ёмкость эмиттерного перехода Сэ пФ Uэб=0 Iк=0 f=10МГц 90
Ёмкость коллекторного перехода Ск пФ Uкб=10B Iэ=0 f=10МГц 10
Время рассасывания tрас НС Iк=300мА IБ1=IБ2=30мА tu 30мкс Q 50 225
Обратный ток эмиттеpа Iэбo мкА Uэб= 5 B 5

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т928В”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *