Москва, Народного Ополчения улица 34

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т652А

цена по-запросу

Артикул: f7662eb2427f Категория:

Описание

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий транзистор “2Т652А” в металлокерамическом корпусе, предназначенный для использования в аппаратуре специального назначения.

Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий – аАО.339.304 ТУ.

Корпусное исполнение – металлокерамический корпус КТЮ-27-3.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Обратный ток коллектора, мА, при UКБ = 50 В IКБ0 – 30  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В IЭБ0 – 100  
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 3 В, IК = 500 мА, n 30 мкс, Q 50) h21Э 25 100  
Время рассасывания, (IК = 500 мА, IБ1 = IБ2 = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), нс tрас – 100  
Емкость коллекторного перехода, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц), пФ СК – 12  
Емкость эмиттерного перехода (UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц), пФ СЭ – 110  
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, (IК =500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), В UКЭ нас – 0,65  
Напряжение насыщения база-эмиттер, (IК = 500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), В UБЭ нас – 1,2  
Граничное напряжение, (IК= 10 мА, IБ = 0, n 30 мкс, Q 50), В UКЭОгр 36 –  
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц), МГц fгр 200 –  

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т652А”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *