Москва, Народного Ополчения улица 34

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т610А

цена по-запросу

Артикул: bf075cd84ff2 Категория:

Описание

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор “2Т610А” в металлическом корпусе. Предназначен для использования в аппаратуре связи и других радиотехнических устройствах специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий – Я53.365.009 ТУ. Корпусное исполнение – металлический корпус КТ-16-2.

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Ед. изм. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 26
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) Uкэ max В 26
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4
Постоянный ток коллектора Iк max мА 300
Температура перехода Тj С 150
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max Вт 1,5

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т610А”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *