Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы 2Т384А-2 предназначены для применения в системах памяти ЭВМ в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий – Я53.365.022-01 ТУ.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 30 В | IКБО | – | 10 | |
| Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 5 В | IЭБО | – | 10 | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА, при UКЭ = 30 В, RЭБ = 0 | IКЭК | – | 10 | |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, при UКЭ = 1 В, IК = 150 мА, tи 30 мкс, Q 50 | h21Э | 30 | 180 | |
| Время рассасывания, нс, при IК = 150 мА, IБ1 = IБ2 = 15 мА, tи 30 мкс, Q 50 | tрас | – | 12 | |
| Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц | СК | – | 4 | |
| Емкость эмиттерного перехода, пФ, при UЭБ = 0,5 В, IК = 0, f = 107 Гц | СЭ | – | 20 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, при IК = 150 мА, IБ = 15 мА, tи 30 мкс, Q 50 | UКЭ нас | – | 0,53 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В, при IК = 150 мА, IБ = 15 мА, tи 30 мкс, Q 50 | UБЭ нас | – | 1,15 | |
| Граничное напряжение, В, при IК= 10 мА, IБ = 0, tи 30 мкс, Q 50 | UКЭОгр | 15 | – | |
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте, при UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 108 Гц | h21э | 4,5 | – | |
Отзывы
Отзывов пока нет.