Москва, Народного Ополчения улица 34

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т378Г-5

цена по-запросу

Артикул: 8fe02091848d Категория:

Описание

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n импульсные высокочастотные бескорпусные транзисторы 2Т378Г-5, 2Т378Д-5, 2Т378Е-5 поставляемые на общей пластине (неразделенные), предназначены для применения в усилительных устройствах с низким уровнем шумов и генераторах. Обозначение технических условий – ХА3.365.012 ТУ. Бескорпусное исполнение (кристаллы на общей пластине).

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма
2Т378Г-5 2Т378Д-5 2Т378Е-5
не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток эмиттера UЭБ = 5 В, мкА IЭБО 0,35 0,35 0,35
Обратный ток коллектор-эмиттер UКЭ = 70 В, RБЭ = 1 кОм, мкА UКЭ = 45 В, RБЭ = 1 кОм, мкА IКЭR 0,4 0,4 0,4
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером UКБ = 5 В, IЭ= 200 мА * h21Э 62 130 30 70 60 140
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IК = 400 мА*, IБ = 80 мА, В UКЭ нас 0,6 0,75 0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер IК = 400 мА*, IБ = 80 мА, В UБЭ нас 1,2 1,3 1,3
Обратный ток коллектора, UКБ = 70 В, мкА UКБ = 45 В, мкА IКБО 0,1 0,1 0,1
Нормы на параметры установлены без учета погрешности измерения * Измерение проводят при импульсном токе.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т378Г-5”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *