Москва, Народного Ополчения улица 34

Статическое оперативное запоминающее устройство 537РУ14, Н537РУ14

цена по-запросу

Артикул: ace90786fd0c Категория:

Описание

Микросхема 537РУ14А, Н537РУ14А, 537РУ14Б, Н537РУ14Б – статическое оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой информационной емкостью 4096 бит и организацией 4096 х 1 (бит х разряд), предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Организация 1024 х 4 бит.  Обозначение технических условий бКО.347.243 ТУ. Диапазон рабочих температур от – 60 до + 85С.

Корпусное исполнение

  • корпус 427.18-2.03 для 537РУ14А, 537РУ140,
  • корпус Н09.18-1В для Н537РУ14А, Н537РУ14Б.
Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Выходное напряжение низкого уровня, В, Uсс = 5 В ± 10 %, IОL = 4,0 мА UОL 0,4
Выходное напряжение высокого уровня, В

Uсс = 5 В ± 10 %, IОH = -2,0 мА,

Uсс = 5 В ± 10 %, IОH = -0,4 мА

UОH 2,8

Uсс -1,2 В

Напряжение питания в режиме хранения, В, Ucs = Uccs, UI = 0 В UCCS 2,0
Ток утечки низкого уровня на входе, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UIL 0 В ILIL -1,0
Ток утечки высокого уровня на входе, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UIH 5,5 В ILIH 1,0
Выходной ток низкого уровня в состоянии “Выключено”, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UО = 0 В IOZL -10
Выходной ток высокого уровня в состоянии “Выключено”, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UО 5,5 В IOZH 10
Ток потребления в режиме хранения, мкА,

Uсс = 5 В ± 10 %, UIL = 0 В,

Uсс = 2,0 В, UIL = 0 В

ICCS 5

2

Динамический ток потребления, мА, Uсс = 5 В ± 10 %, f = 1 МГц ICCО 35
Время цикла записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ 537РУ14А, Н537РУ14А

537РУ14Б, Н537РУ14Б

СY(WR) 80

130

Время установления сигнала записи относительно сигнала адреса, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

 537РУ14А, Н537РУ14А

537РУ14Б, Н537РУ14Б

tSU(A-WR) 15

20

Длительность сигнала записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

 537РУ14Б, Н537РУ14Б

W(WR) 50

90

Время удержания сигнала записи после сигнала входной информации, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

 537РУ14Б, Н537РУ14Б

tH(DI-WR 50

90

Время сохранения сигнала входной информации после сигнала записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

 537РУ14Б, Н537РУ14Б

tV(WR – DI) 15

20

Время установления сигнала выбора относительно сигнала адреса, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

 537РУ14Б, Н537РУ14Б

tSU(A-CS) 15

20

Длительность сигнала выбора в режиме записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

537РУ14Б, Н537РУ14Б

tW(CS), WR 50

90

Время удержания сигнала выбора после сигнала входной информации, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

537РУ14Б, Н537РУ14Б

tH(DI-CS) 50

90

Время сохранения сигнала входной информации после сигнала выбора, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

537РУ14Б, Н537РУ14Б

tV(CS – DI) 15

20

Время цикла считывания, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ 537РУ14А, Н537РУ14А

537РУ14Б, Н537РУ14Б

tСY(RD 80

130

Время выборки адреса, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ 537РУ14А, Н537РУ14А

537РУ14Б, Н537РУ14Б

tА(А) 80

130

Время выбора, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ 537РУ14А, Н537РУ14А 537РУ14Б, Н537РУ14Б tСS 80

130

Длительность сигнала выбора в режиме считывания, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ

537РУ14А, Н537РУ14А

 537РУ14Б, Н537РУ14Б

tW(CS), RD 80

130

 

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Статическое оперативное запоминающее устройство 537РУ14, Н537РУ14”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *