Описание
Двухэлементный кремниевый p-i-n фотодиод ФД-310М имеет повышенную стойкость к ионизационному излучению, герметичное исполнение и применяется для датчиков ближнего ИК-излусения. Диод данного типа имеет металлостекляный корпус с плоским стекляным входным окном.
| Параметр | Значение |
| Площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мм2 | 1,5х1,5 |
| Режим работы – фотогальванический, без подачи напряжения смещения. Темновой ток каждого ФЧЭ при напряжении смещенияUсм=0,01 В, нА, не более | 3 |
| Область спектральной чувствительности, мкм | 0,4-1,1 |
| Токовая монохроматическая чувствительность каждого ФЧЭ (?=0,85 мкм), А/Вт, не менее | 0,3 |
| Емкость каждого ФЧЭ при Uсм=0,01 В, пФ, не более | 75 |
Отзывы
Отзывов пока нет.