Описание
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО.336.405 ТУ
Особенности
- Диапазон рабочих температур: – 60 до + 100 С
Корпусное исполнение
- КТ-16-2
Маркировка
- 916А – белая точка
- 916Б – зеленая точка
| Вывод | Назначение |
| №1 | Коллектор (К) |
| №2 | Эмиттер (Э) |
| №3 | База (Б) |
| №4 | Эмиттер (Э) |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
|
Обратный ток коллектор– эмиттер
КТ916А КТ916Б |
Iкэr | мА | Uкэ=55B Rэб=10 Ом | – |
25
40 |
| Емкость коллекторного перехода* | Cк* | пФ | Uкб=30 B f=10МГц | – | 20 |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока*
КТ916А КТ916Б |
Fгр* | МГц | Uкэ=10B f=300МГц Iк=1,5А |
1100
900 |
– |
| Обратный ток эмиттера | Iэбо | мА | Uэб=3,5 B | – | 4 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас) | В | Iк=250мА,Iб=30мA | – | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=250мА,Iб=30мA | – | 0,4 |
* Справочные параметры
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Значение |
| Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 55 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) | Uкэ max | В | 55 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 3,5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 2000 |
| Импульсный ток коллектора | Iки max | А | 4 |
| Температура перехода | Тj | C | 160 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Рк max | Вт | 30 |
Отзывы
Отзывов пока нет.