Описание
Транзисторы КТ8301А9 предназначены для применения в импульсных и ключевых схемах регуляторов напряжения и других приборах широкого применения, в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, пониженного и повышенного давления, солнечной радиации.
Особенности
- Диапазон рабочих температур от – 45 до +125 C
Номер технических условий
- АДКБ.432140.339 ТУ
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпусКТ-89 (DPAK)
| Площадка | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | База |
| Наименование | Значение характеристики |
| Диаметр пластины, мм | 100 |
| Размер кристалла (на пластине), мм | 3,0 3,0 |
| Размер контактной площадки эмиттер, мм | 1,9 х 0,65 |
| Размер контактной площадки база, мм | 1,0 х 0,61 |
| Ширина скрайберной дорожки, мкм | 80 мкм |
| Металлизация планарной стороны | Al |
| Металлизация непланарной стороны | Ti-Ni-Ag |
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения | Обозначение | Норма |
| Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ = 100 Ом), В | UКЭ max | 160 |
| Максимально допустимое постоянное напряжение база-эмиттер, В | UЭБ mах | 5 |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | IК mах | 10 |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | IК, и mах | 12 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы, А | IБ mах | 1,0 |
| Максимально допустимый прямой ток диода, А | IПР, mах | 10 |
| Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А | IПР, и mах | 12 |
| Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер mах | 175 |
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора *, **
(при температуре корпуса от минус 45 до 25 С), Вт |
РК max | 30 |
|
* В составе гибридной сборки, обеспечивающей тепловое сопротивление RQ-пер-кор
** При температуре корпуса Ткор от 25 С до 125 С РК max рассчитывают по формуле РК max = (175 – Ткор)/ RU пер-кор. |
||
| Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения) | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, (корпуса), С | |
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора | IКЭR | – | 0,1 | 25 |
| (UКЭ = 160 В, RБЭ = 100 Ом), мА | – | 5,0 | 125* | |
| – | 1,0 | -45* | ||
|
Обратный ток эмиттера
(UЭБ = 5 В, IК = 0), мА |
IЭБО | – | 0,1 | 25 |
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером**
(UКЭ = 2 В, IК = 5 А, tи 50) |
h21Э | 100 | – | 25 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IК = 0,27 А, IБ = 0,002 А, tи 50), В |
UКЭ нас | – | 0,4 | 25 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IК = 5 А, IБ = 0,1 А, tи 50), В |
UКЭ нас | – | 0,5 | 25 |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер
(IК = 1,5 А, IБ = 0,15 А, tи 50), В |
UБЭ нас | – | 0,9 | 25 |
|
Граничное напряжение
(IК = 0,1 А, tи 50), В |
UКЭО гр | 70 | – | 25 |
|
Постоянное прямое напряжение диода
(IЭ = 5 А, tи 50), В |
Uпр | – | 1,8 | 25 |
|
* Параметры, проверяемые в составе ГС
** UКБ = 1 В; IЭ = 5А. |
||||
Отзывы
Отзывов пока нет.