Москва, Народного Ополчения улица 34

Транзистор КТ819Б

цена по-запросу

Артикул: 0a76caedf5dd Категория:

Описание

Транзистор КТ819Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • аАО.336.189 ТУ / 02

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  – 45 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База
Основные электрические параметры КТ819 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед.изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектора Iкбо мА Uкб=40B   1
Статический коэффициент передачи тока

КТ819А, В

КТ819Б

КТ819Г

h21э Uкб = 5 B, Iэ =5 A 15

20

12

Граничное напряжение Uкэо гр В Iэ =0,3 A,

tи= 270 330 мкс

25
КТ819А
КТ819Б 40
КТ819В 60
КТ819Г 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=5A, Iб=0,5A 2
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819
Параметры Обознач. Ед. изм. Значение
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб Uкэ max В 40
КТ819А
КТ819Б 50
КТ819В 70
КТ819Г 100
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max А 10
Импульсный ток коллектора tи 100 Iки max А 15
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 3
Импульсный ток базы tи 100 Iби max А 5
Рассеиваемая мощность при Ткорп. Рк мах Вт 60

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Транзистор КТ819Б”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *