Описание
Транзистор КТ8177В p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилителях и переключательных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- АДБК. 432150.654 ТУ
Особенности
- Диапазон рабочих температур: – 60 до + 100 С
- комплиментарная пара КТ8176
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | База |
| №2 | Коллектор |
| №3 | Эмиттер |
| Параметры | Обозначение | Ед.измер | Режимы измерения | Min | Max |
|
Гр. напряжение коллектор-эмиттер КТ8177А
КТ8177Б КТ8177В |
* Uкэо гр. | В | Iк=30mA, Iб=0 |
60
80 100 |
– |
|
Обратный ток коллектор-эмиттер КТ8177А
КТ8177Б КТ8177В |
Iкэк | мА | Uкэ=60В, Uэб=0 Uкэ=80В, Uэб=0 Uкэ=100В, Uэб=0 | – | 0,2 |
|
Обратный ток коллектор-эмиттер КТ8177А
КТ8177Б КТ8177В |
Iкэо | мА | Uкэ=30B, Iб=0 Uкэ=60В, Iб=0 | – | 0,3 |
| Обратный ток эмиттера | Iэбо | мА | Uэб=5В, Iк=0 | – | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока | * h21э | – | Uкэ=4B, Iк=1A Uкэ=4B, Iк=3A |
25
10 |
50 |
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | *Uкэ нас | В | Iк=3A, Iб=375мA | – | 1,2 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | *Uбэ нас | В | Iк=3A, Iб=375мA | – | 1,8 |
| Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. | МГц |
Uкэ=10B, Iк=0,5A,
f=1МГц |
3,0 | – |
*- tи 100
| Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
| Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 60 |
| КТ8177А | |||
| КТ8177Б | 80 | ||
| КТ8177В | 100 | ||
| Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 60 |
| КТ8177А | |||
| КТ8177Б | 80 | ||
| КТ8177В | 100 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 3 |
| Импульсный ток коллектора | Iки max | А | 5 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 |
|
Рассеиваемая мощность коллектора: при Ткорп = от -60 до +25 С
при Тсреды= от -60 до +25 С |
Pк max | Вт |
40
2 |
| Температура перехода | Tпер | C | 150 |
Отзывы
Отзывов пока нет.