Описание
Транзистор КТ8164Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- АДБК. 432150.565 ТУ
Особенности
- Диапазон рабочих температур: – 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Вывод | Назначение |
№1 | База |
№2 | Коллектор |
№3 | Эмиттер |
Параметры | Обозначение | Ед.измер | Режимы измерения | Min | Max |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер
КТ8164А КТ8164Б |
* Uкэо гр. | В | Iк=10 mA, Iб=0, |
400
300 |
– |
Обратный ток коллектора
КТ8164А КТ8164Б |
Iкэо | мкА | Uкэ=400, Iб=0, Uкэ=300, Iб=0 | – |
3,0
3,0 |
Обратный ток коллектора | *Iкбо | мА | Uкб=700В Uкб=600В | – |
0,1
0,1 |
Обратный ток эмиттера | *Iэбо | мА | Uэб=9B, | – | 1,0 |
Статический коэффициент передачи тока | * h21Е | – | Uкэ=5B, Iк=1,0A | 10 | 60 |
Uкэ=5B, Iк=2,0A | 8 | 40 | |||
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | *Uкэ(нас) | В | Iк = 1А, Iб = 0,2A Iк = 2А, Iб = 0,5A Iк = 4A, Iб = 1A | – |
0,5
0,6 1,0 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | *Uбэ(нас) | В | Iк = 1 A, Iб = 0,2A Iк = 2 A, Iб = 0,5A | – |
1,2
1,6 |
Время включения | tвкл. | мкс | Uкэ= 125В, Iк = 2 A, | – | 0,8 |
Время спада | tсп. | Iб1= Iб2 = 0,4 A | 0,9 | ||
Время рассасывания | tрас. | 4,0 | |||
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. | МГц | Uкэ=10B, Iк=0,5A | 4 | – |
Емкость коллекторного перехода | Ск | пФ |
Uкб=10B, Iэ=0,
f=1МГц |
– | 110 |
*- tи 100
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
Напряжение коллектор- база
КТ8164А КТ8164Б |
Uкб max | В |
700
600 |
Напряжение коллектор-эмиттер
КТ8164А КТ8164Б |
Uкэ max | В |
400
300 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 9 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 4 |
Импульсный ток коллектора (tu 100) | Iк и max | А | 8 |
Постоянный ток базы | Iб max | А | 2 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | Вт | 75 |
Отзывы
Отзывов пока нет.