Описание
Кремниевые биполярные эпитаксиально-планарные высокочастотные быстродействующие N-P-N транзисторы КТ646А предназначены для использования в приемоусилительных схемах, оперативных и постоянных запоминающих устройствах, управляющих вычислительных комплексах и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО.336.334 ТУ
Особенности
- Диапазон рабочих температур: – 45 до + 85 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | IКБО | мкА | UКБ = 60 В |
– |
10 |
| КТ646А | |||||
| Статический коэффициент передачи тока | h21э |
f = 50 Гц
UКБ = 5 B, IЭ = 200 мА |
40 | 200 | |
| КТ646А | |||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | UКЭ (нас) | В | IК = 500 мA, IБ = 50 мА | – | 0,85 |
| КТ646А | |||||
|
Время рассасывания
— КТ646А |
tрас | нс |
IК= 150 мА, IБ1 = IБ2 = 15 мА,
tи 50 |
– | 60 |
| Напряжение насыщения база – эмиттер | UБЭ(нас) | В | IК = 500 мА, IБ = 50 мA | – | 1,2 |
| Емкость коллекторного перехода* | CК | пФ | UКБ= 10 B, IЭ = 0, f = 107 Гц | – | 10 |
| Емкость эмиттерного перехода* | СЭ | пФ | UЭБ = 0 B, f = 107 Гц | – | 80 |
| Обратный ток эмиттера | IЭБО | мкА | UЭБО = 4,0 B | – | 10 |
* Справочные параметры
| Параметры | Обозначение | Единица измерения | Значение | ||
| А | Б | В | |||
| Напряжение коллектор-эмиттер | UКЭ max | В | 60 | 40 | 40 |
| Напряжение эмиттер-база | UЭБ max | В | 4,0 | 4,0 | 4,0 |
| Напряжение коллектор-база | UКБ max | В | 60 | 40 | 40 |
| Постоянный ток коллектора | IК max | мА | 1000 | 1000 | 1000 |
| Температура перехода | TПЕР | C | 150 | 150 | 150 |
Отзывы
Отзывов пока нет.