Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503А предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО. 336.183 ТУ / 02
Особенности
- – 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ502
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | База |
№3 | Коллектор |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | – |
Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | – | 1 |
Статический коэффициент передачи тока | h21Е | – | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | – | 0,6 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | – | 1,2 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | – |
Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | – | 50 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40-100 |
Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 25-80 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
Импульсный ток коллектора
(tи 10) |
Iки max | мА | 100 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 300 |
Температура перехода | Tj | C | 350 |
КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е | |
Uкб max, В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 100 |
Uкэ max, В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
Uкэо гр. | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
h21e | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 40-120 |
Отзывы
Отзывов пока нет.