Описание
Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор КТ3117Б предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Обозначение технических условий
- аАО.336.262 ТУ
Корпусное исполнение
- металлический корпус КТ1-7 (ТО-18) – КТ3117А, Б
|
Вывод
(корпус КТ1-7) |
Назначение
(корпус КТ1-7) |
| №1 | База |
| №2 | Эмиттер |
| №3 | Коллектор |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
|
Обратный ток коллектора КТ3117А
КТ3117Б |
Iкбо | мкА | Uкб=60B Uкб=75B |
–
– |
10 10 |
| Статический коэффициент передачи | h21Е | – | Uкб=-5B,Iэ=200Мa |
40 |
200 |
| тока | f=50Гц | ||||
| КТ3117А | |||||
| КТ3117Б | 100 | 300 | |||
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=500мА,Iб=50мA | – | 0,6 |
| Напряжение насыщения база – эмиттер | Uбэ(нас) | В | Iк=500мА,Iб=50мA | – | 1,2 |
| Емкость коллекторного перехода* | Cк* | пФ | Uкб=10B, Iэ=0, f=107Гц | – | 10 |
| Емкость эмиттерного перехода* | Сэ* | пФ | Uбэ=0B f=10Гц | – | 80 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока* | Fгр* | МГц | – | – | 200 |
| Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение | |
| А | Б | |||
| Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 60 | 75 |
| Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 60 | 75 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 4 | 4 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 400 | 400 |
| Импульсный ток коллектора | Iки max | мА | 800 | 800 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Рк max | Вт | 0,3 | 0,3 |
| Температура перехода | Tj | C | 150 | 150 |
Отзывы
Отзывов пока нет.