Описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 2Т839А/ИМ предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.
Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения. Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 10,3 кГц. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч. 95-процентный ресурс транзистора Т в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч. Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура припоя не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.
Особенности
- Категория качества ВП.
- Напряжение коллектор-база 1500 В.
- Ток коллектора 10 А.
- Мощность коллектора 65 Вт.
Обозначение технических условий – АЕЯР.432140.254 ТУ. Корпусное исполнение – металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).
Конструктивные требования
- Масса транзистора не более 20 г.
- Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
- Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
- Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 500 В) | IКБО | – | 0,2 | 25±10 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | – | 1,0 | 125±5 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | – | 1,0 | 60±3 |
| Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В) | IЭБО | – | 10 | 25±10 |
| Статический коэффициент передачи тока (UКЭ = 10 В, IК = 4 А, tи 300 мкс, Q 50)* | h21Э | 5 | 25±10 | |
| Граничное напряжение, В (IК = 100 мА, L = 40 мГн) | UКЭО гр | 700 | – | 25±10 |
| Время спада, мкс (IК = 5 А, IБ1 = IБ2 = 1,8 А, UКЭ = 500 В, tИ1 = tИ2= 50 мкс) | tсп | 1,5 | – | 25±10 |
| * В схеме с общей базой: UКБ = 9,0 В, IЭ = 4,8 А. | ||||
Отзывы
Отзывов пока нет.