Описание
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП743А1 предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Зарубежные прототипы – IRF510, IRF511, IRF512. Обозначение технических условий АДБК 432140.678 ТУ.
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220) – КП743А,Б,В
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КП743А1,Б1
Вывод | Назначение |
№1 | Затвор |
№2 | Сток |
№3 | Исток |
Параметры |
Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Пороговое напряжение | Uзи поp | В | Iс=250мкА,Uзи=Uси | 2,0 | 4,0 |
Ток стока КП743А,Б КП743В | Iс | А | tи 300мкс, Q 50 Uси=3,8B,Uзи=10В Uси=3,8B,Uзи=10В |
5,6 4,9 |
|
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии КП743А,Б
КП743В |
Rси отк | Ом |
tи 300мкс, Q 50
Iс=3,4А,Uзи=10В Iс=3,4А,Uзи=10В |
0,54 0,74 |
|
Остаточный ток стока | Iс ост | мкА | Uси=Uси max,Uзи=0 | 250 | |
Ток утечки затвора | Iз ут | нА | Uси=0,Uзи=±20В | -100 | +100 |
Крутизна ВАХ | S | А/B | tи 300мкс, Q 50 Uси=25В,Iс=3,4А |
1,3 |
|
Прямое напряжение диода КП743А,Б
КП743В |
Uпр | В | tи 300мкс, Q 50 Ic=-5,6A,Uзи=0 Ic=-4,9A,Uзи=0 |
2,5 2,0 |
|
Время включения/выключения | * tвкл/ tвыкл | нс | tи 300мкс, Q 50, Uси=50В,Iс=5,6А Rг=24 Ом,Rс=8,4 Ом |
25/30 |
|
Тепловое сопротивление переход-корпус | * Rt п-к | °С/Вт | 3,5 | ||
Входная емкость | * C11и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | 235 | |
Выходная емкость | * C22и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | 110 | |
Проходная емкость | * C12и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | 30 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Предельные значения | ||
А | Б | В | |||
Напряжение сток-исток | Uси max | В | 100 | 80 | 100 |
Напряжение затвор-исток | Uзи max | В | ±20 | ±20 | ±20 |
Постоянный ток стока | Iс max | А | 5,6 | 5,6 | 4,9 |
Импульсный ток стока | Iс и max | А | 20 | 20 | 18 |
Рассеиваемая мощность | Pmax | Вт | 43 | 43 | 43 |
Прямой ток диода | Iпр. max | А | 5,6 | 5,6 | 4,9 |
Температура перехода | Тпеp | °С | 175 | 175 | 175 |
Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Пороговое напряжение | Uзи поp | В | Iс=250мкА,Uзи=Uси | 2,0 | 4,0 |
Ток стока | Iс | А | tи 300мкс, Q 50 Uси=3,8B,Uзи=10В | 5,5 | |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | Rси отк | Ом | tи 300мкс, Q 50 Iс=3,4А,Uзи=10В |
0,54 |
|
Остаточный ток стока | Iс ост | мкА | Uси=Uси max,Uзи=0 | 250 | |
Ток утечки затвора | Iз ут | нА | Uси=0,Uзи=±20В | -100 | +100 |
Крутизна ВАХ | S | А/B | tи 300мкс, Q 50 Uси=25В,Iс=3,4А |
1,3 |
|
Прямое напряжение диода | Uпр | В | tи 300мкс, Q 50 Ic=-5,5A,Uзи=0 |
2,5 |
|
Время включения/выключения | * tвкл/ tвыкл | нс | tи 300мкс, Q 50, Uси=50В,Iс=5,6А Rг=24 Ом,Rс=8,4 Ом |
;
40/34 |
|
Тепловое сопротивление переход-корпус | * Rt п-к | °С/Вт | 3,75 | ||
Входная емкость | * C11и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | 265 | |
Выходная емкость | * C22и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | 110 | |
Проходная емкость | * C12и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | 30 |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Предельные значения |
Напряжение сток-исток | Uси max | В | 100 |
Напряжение затвор-исток | Uзи max | В | ±20 |
Постоянный ток стока | Iс max | А | 5,5 |
Импульсный ток стока | Iс и max | А | 20 |
Рассеиваемая мощность | Pmax | Вт | 40 |
Прямой ток диода | Iпр. max | А | 5,5 |
Температура перехода | Тпеp | °С | 175 |
Паpаметpы | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измеpения | Min | Max |
Пороговое напряжение | Uзи поp | В | Iс=250мкА, Uзи=Uси | 1,2 | 2,0 |
Ток стока | Iс | А | tи 300мкс, Q 50 Uси=3,8B, Uзи=5В | 5,5 | – |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | Rси отк | Ом | tи 300мкс, Q 50 Iс=3,4А,Uзи=5В |
– |
0,54 |
Остаточный ток стока | Iс ост | мкА | Uси=100В, Uзи=0 | – | 250 |
Ток утечки затвора | Iз ут | нА | Uси=0, Uзи=±12В | -100 | +100 |
Крутизна ВАХ | S | А/B | tи 300мкс, Q 50 Uси=25В, Iс=3,4А |
1,3 |
|
Прямое напряжение диода | Uпр | В | tи 300мкс,Q 50 Ic=-5,5A, Uзи=0 |
– |
2,5 |
Время включения/выключения | * tвкл/ tвыкл | нс | tи 1мкс, Q 1000, Uси=50В, Iс=5,6А Rг=24 Ом, Rс=8,4 Ом |
– |
40/34 |
Входная емкость | * C11и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | – | 410 |
Выходная емкость | * C22и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | – | 110 |
Проходная емкость | * C12и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц | – | 30 |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Предельные значения |
Напряжение сток-исток | Uси max | В | 100 |
Напряжение затвор-исток | Uзи max | В | ±12 |
Постоянный ток стока (при Uзи=5 В, Ткорп=25°С) | Iс max | А | 5,5 |
Постоянный ток стока (при Uзи=5 В, Ткорп=100°С) | Iс max | А | 3,9 |
Импульсный ток стока Рмах | Iс и max | А | 20 |
Рассеиваемая мощность | Pmax | Вт | 40 |
Прямой ток диода | Iпр. Max | А | 5,5 |
Температура перехода | Тпеp | °С | 175 |
Тепловое сопротивление переход-среда | Rtп-ср | °С/Вт | 125 |
Тепловое сопротивление переход-корпус | Rtп-к | °С/Вт | 3,75 |
Отзывы
Отзывов пока нет.