Описание
Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные N-P-N транзисторы 2Т847А-5/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными) предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей и применяемых в аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Диапазон рабочих температур окружающей среды от – 60 до + 100 С. Обозначение технических условий – АЕЯР.432140.312 ТУ.
Конструктивное исполнение
- бескорпусное исполнение;
- кристаллы на общей пластине 100 мм неразделенные;
- масса одного транзистора – не более 0,05 г.
Требования к устойчивости при специальных воздействиях
- Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11 336.018.
- Характеристики С3, И1 – И3, К1, К3 по 1У.
Справочные данные
- 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
- 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.
Требования к устойчивости при климатических воздействиях Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:
- повышенная рабочая температура корпуса 100 С;
- смена температуры среды от минус 60 до 125 С.
Условия эксплуатации
При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками. Не допускается повторное присоединение вывода к контактной площадке.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора (UКБ = 650 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IКБО | – | 5 | 25±10 |
| Обратный ток эмиттера (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IЭБО | – | 100 | 25±10 |
| Граничное напряжение (IК = 0,1 А, tи = (0,3-1,0 мс, Q 50), В | UКЭО гр | – | 390 | 25±10 |
| Статический коэффициент передачи тока1) (UКЭ = 3 В, IК = 15 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50) | h21Э |
8
5 5 |
25±10
100±5 -60±3 |
|
| Обратный ток эмиттера1 (UЭБ = 8 В, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IЭБО | – | 100 | 25±10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1) (IК = 15 А, IБ = 5 А, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В | UКЭ нас | – | 1,5 | 25±10 |
| Граничное напряжение1) (IК = 0,1 А, LК = 40 мГн), В | UКЭО гр | 360 | – | 25±10 |
| Время спада1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс | tсп | – | 0,8 | 25±10 |
| Время рассасывания1) (IК = 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В, tи1 = tи2 = 50 мкс), мкс | tрас | – | 3,0 | 25±10 |
| 1) Параметры, нормы для которых установлены для транзисторов в составе ГС (микросборок). | ||||
Отзывы
Отзывов пока нет.