Описание
Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор 2Т928А предназначен для использования в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний, а также другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Диапазон рабочих температур окружающей среды от – 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: Я53.365.034ТУ. Корпусное исполнение – металлический корпус КТ2-7 (TO-39). Зарубежные прототипы – прототип 2N2218.
Параметры | Буквенное обозначение | Ед. изм. | Режимы измеpения | Min | Max |
Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкб=60B | – | 5 |
Статический коэффициент передачи тока | h21Е | Uкб=3B, Iэ=150мA | 30 | 100 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока | Fгр | МГц | Uкэ=10B f=100МГц Iк=50мА | 300 | |
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=300мА,Iб=30мA | – | 0,6 |
Напряжение насыщения база – эмиттер | UБЭ НАС | В | Iк=300мА,Iб=30мA | – | 1,5 |
Граничное напряжение | Uкэогр | В | Iэ=20мА Iб=0 | 40 | – |
Обратный ток коллектор-эмиттер | IКЭR | мкА | Uкб=60B Rбэ=100 Ом | – | 0,6 |
Ёмкость эмиттерного перехода | Сэ | пФ | Uэб=0 Iк=0 f=10МГц | – | 90 |
Ёмкость коллекторного перехода | Ск | пФ | Uкб=10B Iэ=0 f=10МГц | – | 10 |
Время рассасывания | tрас | НС | Iк=300мА IБ1=IБ2=30мА tu 30мкс Q 50 | – | 225 |
Обратный ток эмиттера | Iэбo | мкА | Uэб= 5 B | – | 5 |
Отзывы
Отзывов пока нет.