Описание
Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные n-p-n типа транзисторы “2Т8224А-5”, поставляемые на общей пластине (неразделенные), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах, микросборках и дискретных приборах. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 100 С. Обозначение технических условий – АЕЯР.432140.304 ТУ. Корпусное исполнение – бескорпусное исполнение; кристаллы на пластине 100мм неразделенные. Стойкость к воздействию спецфакторов – специальные воздействия И1, С3, по группе исполнения 1У, И2 – по 2У.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектор-эмиттер (UКЭ = 1500 В, RЭБ = 0, tи = (0,3-20) мс, Q 100), мкА | IКЭК | – | 100 | |
| Обратный ток эмиттера (UЭБ = 5,5 В, tи = (0,3-10) мс, Q 100), мА | IЭБО | – | 1,0 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IК = 4,5 А, IБ = 999 мА, tи = (0,3-3) мс, Q 100), В | UКЭ нас | – | 2,0 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер (IК = 4,5 А, IБ = 999 мА, tи = (0,3-3) мс, Q 100), В | UБЭ нас | – | 1,1 | |
| Статический коэффициент передачи тока * (UКЭ = 1 В, IК = 4,5 А, tи = (0,3-3) мс, Q 100) | h21Э | 3,5 | 10 | |
| * Для схемы измерения с общей базой: UКБ = 0,3 В, IЭ = 5,3 А. | ||||
Отзывы
Отзывов пока нет.