Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные n-p-n транзисторы “2Т672А-2” предназначены для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий – аАО.339.592 ТУ. Корпусное исполнение – бескорпусное исполнение.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мА, при UКБ = 50 В | IКБ0 | – | 10 | |
| Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В | IЭБ0 | – | 50 | |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 3 В, IК = 500 мА, n 30 мкс, Q 50) | h21Э | 30 | 120 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц), МГц | fгр | 200 | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, при IК = 500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50 | UКЭ нас | – | 0,6 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В, при IК = 500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50 | UБЭ нас | – | 1,2 | |
| Граничное напряжение, В, при IБ = 0, IЭ = 10 мА, n 30 мкс, Q 50 | UКЭОгр | 36 | – | |
| Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц | Ск | – | 12 | |
| Емкость эмиттерного перехода, пФ, при UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц | Сэ | – | 110 | |
| Время рассасывания, нс при IК = 500 мА, IБ1 = IБ2 = 50 мА, n 30 мкс, Q 50 | tрас | – | 100 | |
Отзывы
Отзывов пока нет.