Описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор “2Т637А-2” предназначен для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий – аАО.339.063 ТУ. Корпусное исполнение – бескорпусное исполнение.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, при UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 300 МГц | fгр | 1300 | – | |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс, при UКБ = 10 В, IЭ = 30 мА, f = 100 МГц | к | – | 1,4 | |
| Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 30 В | IКБ0 | – | 100 | |
| Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 2,5 В | IЭБ0 | – | 100 | |
| Выходная мощность (медианное значение), мВт, при UКБ = 20 В, IК = 100мА, f = 3 ГГц, Pвх = 200 мВт | Pвых | 500 | – | |
Отзывы
Отзывов пока нет.