Описание
Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий – аАО.339.256 ТУ. Корпусное исполнение – металлический корпус КТ1-7 (ТО-18). Диапазон рабочих температур от – 60 до + 125С
| Параметры | Буквенное обозначение | Ед. изм. | Режимы измеpения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкб=60B | 0,01 | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока | h21Е | Uкб=-5B,Iэ=200Мa f=50Гц tи 30мкс Q 50 | 40 | 200 | |
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=500мА,Iб=50мA | 0,2 | 0,5 |
| Напряжение насыщения база – эмиттер | Uбэ(нас) | В | Iк=500мА,Iб=50мA | 0,6 | 1,2 |
| Емкость коллекторного перехода* | Cк* | пФ | Uкб=10B, Iэ=0, f=107 Гц | 40 | 80 |
| Обратный ток эмиттера | Iэбo | мкА | Uэб= 4 B | 0,01 | 5 |
Отзывы
Отзывов пока нет.