Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2П771А-6 с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы – STP40N10.
Особенности
- Диапазон рабочих температур от минус 60 до 125 С,
- Металлизация планарной стороны: AL,
- Металлизация непланарной стороны: Ti-Ni-Ag,
- Пассивация: НТФСС,
- Масса не более 0,027 г.
- Категория качества ВП.
Корпусное исполнение – бескорпусной вариант на кристаллодержателе и без выводов. Стойкость к воздействию спецфакторов – И1, И2, И3, К1 – 1У; С3 – 0.7х1У; К3 – 0.5х1У в соответствии с ГОСТ В 20.39.404 – 81. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.243ТУ.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Остаточный ток стока (UЗИ = 0 В, UСИ = 104 В), мкА | IС. ост | – | 100 | 25 |
| Ток утечки затвора (UЗИ = ± 35 В, UСИ = 0 В), нА | IЗ. ут | – | ±100 | 25 |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (UЗИ = 10 В, IС = 1 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом | RСИ. отк | – | 0,08 | 25 |
| Пороговое напряжение (UЗИ = UCИ В, IС = 250 мкА), В | UЗИ. пор | 2,00 | 4,0 | 25 |
| Постоянное прямое напряжение диода (UЗИ = 0 В, IС = – 1 А, tи 300 мкс, Q 50), В | Uпр | – | 1,0 | 25 |
Отзывы
Отзывов пока нет.