Кремниевые транзисторы 2П7145Б1/ИМ

Описание

Кремниевые эпитаксиально – планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы «2П7145Б1/ИМ» предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения

Зарубежные прототипы – IRFP250 фирмы International Rectifier.

Особенности

• UСИ = 200 В,
• RСИ = 0,085 Ом,
• IС = 30 А,
• встроенный диод,
• диапазон рабочих температур от – 60 до + 125 С,
• категория качества ВП.

Корпусное исполнение – металлокерамический корпус КТ-97С (ТО-258).

Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.295ТУ, РД 11 0723. Масса транзисторов не более 10 г.

Требования надежности

Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в режимах и условиях, допускаемых ТУ -25000ч. Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в облегченных режимах РК = 0,7 РКмах, Ткорп = (100±5) С– 50000 ч. Групповой показатель безотказности – интенсивность отказов при испытании в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых ТУ, ( и) при доверительной вероятности Р* = 0,6 не более 10-6 1/ч. Минимальный срок сохраняемости 25 лет по ГОСТ В 28146.

Условия эксплуатации

Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий. Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт.