Описание
Бескорпусные кремниевые планарные биполярные транзисторы “2Е802А-5″с изолированным затвором, поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках и блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей. Транзисторы применяются для работы в ключевых устройствах аппаратуры специального назначения. Категория качества ВП.
Ближайший функциональный аналог – IRG4DC30. Диапазон рабочих температур окружающей среды от – 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.321 ТУ. Конструктивное исполнение – кристаллы на общей пластине неразделенные.
Требования к устойчивости при специальных воздействиях
- Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11 336.018.
- Специальные воздействия И1, И2, И3, С3, К1, К3 по группе исполнения 1У.
Справочные данные
- 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
- 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.
Механические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ В 11 336.018 со следующим уточнением: уровень звукового давления акустического шума 160 дБ.
Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:
- повышенная рабочая температура среды (корпуса) 125 С;
- смена температуры среды от минус 60 до 125 С.
Указания по применению и эксплуатации
После проведения операций: разделение на кристаллы, присоединение выводов и установка в корпус при соблюдении требований ОСТ В 11 336.018 и ТУ транзисторы должны соответствовать требованиям ОСТ В 11 336.018 и ТУ в течение времени минимальной наработки и сохраняемости. При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектор-эмиттер (UКЭ = 612 В, RЗЭ = 0, tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IКЭК | – | 0,2 | 25±10 |
| Ток утечки затвора (UЗЭ = ± 22 В), нА | IЗ.ут | – | 90 | 25±10 |
| Пороговое напряжение (UКЭ = UЗЭ, IК= 1 мА), В | UЗЭ.пор | 3,2 | 5,8 | 25±10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IК = 5 А, UЗЭ = 15 В, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В | UКЭ нас | – | 2,4 | 25±10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер* (UКЭ = 600 В, RЗЭ = 0) (UКЭ = 600 В, RЗЭ = 0) (UКЭ = 500 В, RЗЭ = 0) (tи = (0,3-10) мс, Q 50), мА | IКЭК |
–
– – |
0,25
1,5 0,25 |
25±10
125±5 -60±3 |
| Ток утечки затвора* (UЗЭ = ±20 В), нА | IЗ.ут | – | 100 | 25±10 |
| Пороговое напряжение* (UКЭ = UЗЭ, IК = 1 мА), В | UЗЭ.пор | 3 | 6 | 25±10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер* (IК = 12 А, UЗЭ = 15 В, tи = (0,3-3) мс, Q 50), В | UКЭ нас |
– – |
2,7 3,5 3,5 |
25±10
125±5 -60±3 |
Отзывы
Отзывов пока нет.