Описание
Микросхемы «К1274СП45П» являются аналоговыми вольт-детекторами и могут применяться как супервизоры питания для сброса микропроцессоров (микроконтроллеров) при снижении напряжения питания ниже допустимого и, наоборот, для удержания их в исходном состоянии при включении до момента достижения напряжением питания необходимой величины. Вольт-детектор широко применяется для контроля аккумуляторных батарей в средствах мобильной связи и компьютерных системах, а также контроля функции перезагрузки систем, контроля ошибок включения-выключения мощных источников питания и т.д.
Преимущества
- Поддержание порогового напряжения сброса микропроцессорных систем с высокой точностью (до 1%),
- Минимизация схемы сброса (трехвыводная микросхема вместо RC-цепочки, диода и транзистора),
- Более длительный срок использования аккумуляторных батарей в средствах мобильной связи и компьютерных системах из-за четкого отслеживания их состояния,
- Сохранность систем из-за отсутствия ложного запуска при сбоях питания или выхода из строя мощных блоков питания.
Зарубежный прототип – KIA7045 фирмы «KEC». Обозначение технических условий – АДБК 431350.005 ТУ. Корпусное исполнение – пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92).
Близкие по назначению ИМС
- серия PST529x
- серия КР1171СПхх,
- серия К1230ДПxx,
- MC33064, MC34064
Требования к устойчивости при механических воздействиях
Механические воздействия по ГОСТ 18725, в том числе: линейное ускорение 5000 м/с2 (500 g).
Требования к устойчивости при климатических воздействиях
Климатические воздействия по ГОСТ 18725, в том числе:
- пониженная рабочая температура окружающей среды минус 25 C;
- повышенная рабочая температура окружающей среды 70 C;
- повышенная предельная температура окружающей среды 85 C;
- изменения температуры окружающей среды от минус 60 до плюс 85 C;
- повышенная рабочая температура кристалла 125 C.
Требования к надежности
- Наработка микросхем 50000 ч, а в облегченном режиме – 60000 ч.
- Облегченные режимы: нормальные климатические условия.
- Интенсивность отказов в течение наработки не более 1•10-6 1/ч.
- Гамма-процентный срок сохраняемости 10 лет.
Указания по эксплуатации
Указания по эксплуатации микросхем – по ГОСТ 18725. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки при температуре не выше 265 C, продолжительностью не более 4 с.
Наименование | Буквенное обозначение | Предельно допустимый режим | |
не менее | не более | ||
Входное напряжение, В | UI | 1 | 15 |
Выходной ток низкого уровня, мА (при UОL 0,4 В) | IOL | – | 16 |
Максимальная рассеиваемая мощность при Токр 25 °C, Вт * | Рtot mах | – | 0,5 |
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда, °C/Вт | R кр-окр | – | 200 |
Максимальная температура кристалла, °C | Ткр mах | – | 125 |
* В диапазоне рабочей температуры окружающей среды (Токр) от 25 °C до повышенной рабочей температуры окружающей среды максимально допустимая рассеиваемая мощность (Рtot mах) снижается линейно и рассчитывается по формуле: Рtot mах = (125 – Токр) °C / 200 °C/Вт, Вт |
Отзывы
Отзывов пока нет.