Москва, Народного Ополчения улица 34

Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС8

цена по-запросу

Артикул: 2674bb2b378b Категория:

Описание

Микросхема интегральная полупроводниковая “512ПС8” представляет собой временное устройство с коррекцией, предназначенное для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Обозначение технических условий бКО.347.305 ТУ3. Диапазон рабочих температур от – 60 до + 125С. Корпусное исполнение: корпус 402.16-23.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Единицы измерения Режимы измерения Min Max
Выходное напряжение низкого уровня UOL В Ucc=5В±20% IО= 400мкА 0,4
Выходное напряжение высокого уровня UOH В Ucc=5В±20% IО= 100мкА 0,9UСС
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения ICCH мкА Ucc=5В±20% 20
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения ICCL мкА Ucc=5В±20% 20
Динамический ток потребления ICCО мкА Ucc=5В±20% f=40кГц 100
Напряжение питания Ucc= 5В±20%

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС8”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *