Москва, Народного Ополчения улица 34

Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС10

цена по-запросу

Артикул: da7ffc3ebfae Категория:

Описание

Микросхема интегральная полупроводниковая “512ПС10” представдляет собой временное устройство с переменным коэффициентом деления. Педназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Обозначение технических условий бКО.347.305-05 ТУ. Диапазон рабочих температур от – 60 до + 125С. Корпусное исполнение: корпус 402.16-23.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Единицы измерения Режимы измерения Min Max
Выходное напряжение низкого уровня

по выводу 05

по выводу 06

по выводу 09

UOL В Ucc=5В±20% UIH=1,6В IО= 1,6мА UIH=2,4В IО= 1,6мА UIH=4В IО= 5,2мА

0,4 0,4 0,5
Выходное напряжение высокого уровня

по выводу 05

по выводу 06

UOH В Ucc=5В±20% UIH=2,4В IО= -1мА UIH=1,6В IО= -1мА 3,6 3,6

Ток утечки низкого уровня на входе ILIL мкА UIL=0 Ucc=5В±20% -0,1
Ток утечки высокого уровня на входе

по выводу 04

по выводам 01-03,11-15

ILIH мкА Ucc=5В±20% UIH=6В

0,1

50

Ток потребления ICC мкА Ucc=5В±20% UIL=0 UIH=6В 20
Динамический ток потребления ICСО мА Ucc=5В±20% f=40кГц 1
Динамический ток потребления ICСО мкА Ucc=5В±20% f=40кГц 100
Напряжение питания Ucc= 5В±20%

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС10”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *