Транзисторные ключи с низким спадом напряжения

Описание

Транзисторные ключи с низким спадом напряжения предназначены для использования в качестве ости силовых ключей в устройствах силовой преобразовательной техники и электроники.

Модификации

Транзисторные ключи с низким спадом напряжения разрабатываются на дискретных элементах в таких типоисполнениях:

• GBT – транзисторов и биполярных составляющих транзисторов Дарлингтона с последовательно включенным диодом- в соответствии: IGBT-VTD и БТД – VTD ;
• IGBT – транзисторов и биполярных составляющих транзисторов Дарлингтона с четвертым отделенным электродом утечки и коллектора – в соответствии : IGBT -4 Е и БТД -4 Е , где : З – затвор , К – коллектор, Е – эмиттер , В – утечка, Кв – уединенный коллектор.

Особенности

• снижение спада напряжения на ключи в сравнению с аналогами – к 30 … 50%;
• применение ключей IGBT-VTD и БТД – VTD в кругах переменного тока не требует включения последовательно с ними силовых диодов,
• снижение динамических потерь энергии к 25 … 30% при применении внешнего последовательно включенного с IGBT -4 Е и БТД – VTD дросселя насыщения .