Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д907Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий – дР3.362.014 ТУ.
| Наименование | Буквенное обозначение | Max значение |
| Постоянный обратный ток, мкА, при Uобр= 40 В | Iобр | 5,0 |
| Постоянное прямое напряжение, В, при Iпр = 50 мА | Uпр | 1,0 |
| Общая емкость диода ДМП, пФ, при Uобр = 0 | СД | 5,0 |
| Заряд восстановления диода, пКл, при Iпр = 50 мА, Uобр,и = 10 В | Qвос | 500 |
Отзывы
Отзывов пока нет.