Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД908А в металлостеклянном корпусе, изготавливаемые для нужд народного хозяйства.
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Режимы измерения | Максим. |
| Постоянный обратный ток | Iобр | мкА | Uобр=40B | 5 |
| Постоянное прямое напряжение | Uпр | В | Iпр=200мА | 1,2 |
| Общая ёмкость диода ДМП | С | пФ | Uf==0 | 5 |
| Время обратного восстановления | tвос | нс | Iпр=200мА Uобр,u=1B Iобр,отсч=3мА | 30 |
| Параметры | Обозначение | Единица измерения | Значение | Примечание |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение | UR max | B | 40 | 1 |
| Максимально допустимое импульсное обратное напряжение при длительности импульса не более 2 мкс и скважностью не менее 10 | URM max | B | 60 | 1,2 |
| Максимально допустимый средний прямой ток , через любой одиночный диод или любое количество диодов ДМП при температуре
минус 60 до +35 С при температуре 125 С |
IFAV max | мА |
200 100 |
3 |
| Максимально допустимый импульсный прямой ток, при длительности импульса не более 10 мкс и скважности не менее 20 без превышения IFAV max через любой одиночный диод или любое количество диодов в ДМП при температуре от минус 60 до +35 С
при температуре +125 С |
IFM max | мА | 1500
750 |
3 |
Отзывы
Отзывов пока нет.