Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) с гибкими выводами без кристаллодержателя КД907Б-1, КД907Г-1, предназначенные для применения в составе гибридных интегральных микросхем.
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Режимы измерения | Миним. | Типовое | Максим. |
| Постоянный обратный ток | Iобр. | мкА | Uобр.=40В | 0,05 | 0,3 | 6 |
| Постоянное прямое напряжение | Uпр. | В | Iпр.=50мА | 0,75 | 0,85 | 1 |
| Общая ёмкость диода ДМП | Сд | пФ | Uобр.=0 | 1 | 2 | 4 |
| Заряд восстановления | Qвос | пКл | Iпр.=50мА Uобр,и=10В | 100 | 200 | 400 |
| Параметры | Обозначение | Единица измерения | Значение |
| Постоянное обратное напряжение диода | Uобр. max | В | 40 |
| Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода (длительность импульса не более 2 мкс, скважность не менее10) | Uобр. и max | В | 60 |
| Суммарный максимально допустимый средний прямой ток через все элементы или любой одиночный диод в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 до 60 С
при температуре окружающей среды 85 С |
Iпр.ср. max | мА |
50 30 |
| Суммарный максимально допустимый импульсный прямой ток (длительность импульса не более 2 мкс, скважность не менее 10, без превышения Iпр,ср max через все элементы или любой одиночный диод) в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 до 60 С
при температуре окружающей среды 85 С |
Iпр,и,max | А |
0,7 0,5 |
|
|||
Отзывы
Отзывов пока нет.