Описание
Мощный кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки. Предназначен для КДШ2966А использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Особенности
- низкое прямое падение напряжения
- высокое быстродействие
- отсутствие заряда обратного восстановления
- диапазон рабочих температур от – 45 до + 125 C
Вывод | Назначение |
№1 | Катод |
№2 | Катод |
№3 | Анод |
Наименование параметра | Обозна- чение | Един. измер. | Режимы измерения | Норма, не более | Темпер. корпуса., C |
Постоянный обратный | I обр. | мА | U обр.=45В | 5,0 | 25 |
ток диода | 6,0 | -45 | |||
200 | 125 | ||||
Постоянное прямое | U пр. | В | I пр=50А; | 0,70 | 25 |
напряжение диода | tи100 | 0,77 | -45 | ||
0,68 | 125 | ||||
Емкость диода | Сд | пФ | U обр.=5В, f = 1мГц | 2600 | 25 |
Наименование параметра (режим и условия измерения) | Обозначение | Единица измерения | Значение |
Постоянное обратное напряжение диода | U обр.max | В | 45 |
Импульсное обратное напряжение диода | U обр.и.max | В | 45 |
Средний прямой ток диода (Q 2, Ткорп 100 C) | I пр.ср. max | А | 50 |
Повторяющийся импульсный прямой ток диода (Q 2, Ткорп 100 C) | I пр.и.п.max | А | 50 |
Неповторяющийся импульсный прямой ток диода ( tи 10 мс) | I пр.и.нп.max | А | 500 |
Температура перехода | Тп max | C | 150 |
Тепловое сопротивление переход-корпус | Rt пер-кор | С/Вт | 1,4 |
Отзывы
Отзывов пока нет.