Описание
Мощный кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки КДШ2965А, КДШ2965Б предназначен для использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Особенности
- низкое прямое падение напряжения
- высокое быстродействие
- отсутствие заряда обратного восстановления
- диапазон рабочих температур от – 45 до + 125 C
Вывод | Назначение |
№1 | Катод |
№2 | Катод |
№3 | Анод |
Наименование параметpа | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Норма, не более | Темпер. корпуса, C | ||
А | Б | A | Б | ||||
Постоянный обратный ток диода | I обр. | мА | U обр.=60В | U обр.=45В |
2,0
1,8 80 |
3,0
2,7 105 |
-45
25 125 |
Постоянное прямое напряжение диода | U пр. | В |
I пр=20А;
tи 300мкс; Q 100 |
0,8
0,64 0,58 |
0,65
0,57 0,51 |
-45
25 125 |
|
I пр=40А;
tи 300мкс; Q 100 |
0,84 | 0,73 | 25 | ||||
Пробивное напряжение диода | U проб. | В | I обр.= 20мА | 60 | 45 | 25 | |
Общая емкость диода | Сд | пФ | U обр.=5В, f = 1мГц | 1400 | 25 |
Наименование параметра (режим и условия измерения) | Обозначение | Единица измерения | Значение | |
А | Б | |||
Постоянное обратное напряжение диода | U обр.max | В | 60 | 45 |
Средний прямой ток диода (Ткорп 120 C) | I пр. max | А | 20 | |
Повторяющийся импульсный прямой ток диода (Q 2, Ткорп 120 C) | I пр.и.п | А | 20 | |
Неповторяющийся импульсный прямой ток диода ( tи 10мс) | I пр.и.нп | А | 350 | 400 |
Температура перехода | Тпер max | C | 150 | |
Тепловое сопротивление переход-корпус | R tпер-корп | С/Вт | 1,5 |
* Для всего диапазона рабочих температур окружающей среды
Отзывы
Отзывов пока нет.