Описание
Диоды КДШ2140А-5, КДШ2140Б-5, КДШ2140В-5 кремниевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов, поставляемые на общей пластине (неразделенные) или разделенные упакованные в специальную тару, предназначенны для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.
Указания по применению и эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ОСТ 11 336.925, ОСТ 11 336.907.0 и ОСТ 11 0272 с дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем разделе.
Основное назначение диодов – использование в неремонтируемых гибридных схемах, имеющих герметичные корпуса или иную защиту от воздействия солнечного света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков и агрессивных сред, а также для сборки дискретных приборов.
При производстве ГС и при сборке дискретных приборов строго руководствоваться требованиями 6.4 ОСТ 11 336.925 и ОСТ 11 0272.
При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность диодов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно токопроводящих. На всех стадиях производства ГС и сборке дискретных приборов запрещается брать диоды незащищенными руками.
Надежность и долговечность диодов в эксплуатации обеспечивается как качеством самих диодов, выбором оптимальных режимов и условий их эксплуатации, так и соблюдением технологии монтажа в схемах.
Требования к устойчивости при механических воздействиях
Механические воздействия в составе ГС и дискретных приборов по ОСТ 11 336.925, в том числе:
- синусоидальная вибрация: диапазон частот от 1 до 2000 Гц; амплитуда ускорения 200 м/с2 (20 g);
- линейное ускорение 5000 м/с2 (500 g).
Требования к устойчивости при климатических воздействиях
Климатические воздействия в составе ГС и дискретных приборов по ОСТ 11 336.925, в том числе:
- повышенная рабочая температура среды 125 С,
- пониженная рабочая температура среды минус 45 С,
- изменения температуры среды от минус 60 до 125 С.
Требования к надежности
- Интенсивность отказов диодов в течение наработки tн не более 3 10-6 1/ч.
- Наработка диодов в составе ГС и дискретных приборов tн = 25000 ч.
- 95-процентный срок сохраняемости диодов в составе ГС и дискретных приборов 10 лет.
| Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) | Буквенное обозначение параметра | Норма | ||
| КДШ2140А-5 | КДШ2140Б-5 | КДШ2140В-5 | ||
| Максимально допустимое обратное напряжение диода, В | Uобр,max | 100 | 60 | 40 |
|
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение диода, В
(tи 10 мс, f = 50 Гц) |
Uобр,и,п,max |
100 |
60 |
40 |
| Максимально допустимый средний прямой ток диода, А * | Iпр,ср,max | 3 | 3 | 3 |
| Ударный прямой ток, А* | Iпр, уд | 18 | 18 | 18 |
| Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер,max | 150 | 150 | 150 |
| * При условии не превышения Тпер,max. | ||||
| Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) | Буквенное обозначение параметра | Норма | Температура, С | |
| не менее | не более | |||
| Постоянный обратный ток диода, мА | Iобр |
– |
0,2 |
25 |
| (Uобр = 100 В) КДШ2140А-5 | ||||
| – | 0,2* | -45 | ||
| – | 20* | 125 | ||
| (Uобр = 60 В) КДШ2140Б-5 | – | 0,25 | 25 | |
| – | 0,25* | -45 | ||
| – | 25* | 125 | ||
| (Uобр = 40 В) КДШ2140В-5 | – | 0,3 | 25 | |
| – | 0,3* | -45 | ||
| – | 30* | 125 | ||
| Постоянное прямое напряжение диода, В* | Uпр |
– |
0,85 |
25 |
| (Iпр = 3 А, tи 2 мс, Q 50) | ||||
| КДШ2140А-5 | ||||
| – | 0,97 | -45 | ||
| – | 0,78 | 125 | ||
| КДШ2140Б-5 | – | 0,7 | 25 | |
| – | 0,84 | -45 | ||
| – | 0,65 | 125 | ||
| КДШ2140В-5 | – | 0,6 | 25 | |
| – | 0,74 | -45 | ||
| – | 0,56 | 125 | ||
| * Параметры, проверяемые в составе ГС | ||||
| Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) | Буквенное обозначение параметра | Норма |
Температура,
С |
|
| не менее | не более | |||
|
Постоянный обратный ток диода, мА
(Uобр = 100 В) КДШ2140А-5 (Uобр = 60 В) КДШ2140Б-5 (Uобр = 40 В) КДШ2140В-5 |
Iобр |
– – – |
0,4 0,5 0,6 |
25 |
|
Наименование параметра, единица измерения
(режим и условия измерения) |
Буквенное обозначение |
Значение параметра | ||
| Минимальное | Типовое | Максимальное | ||
| Постоянный обратный ток диода, мА | Iобр |
– |
– |
0,2 |
| (Uобр = 100 В) КДШ2140А-5 | ||||
| (Uобр = 60 В) КДШ2140Б-5 | – | – | 0,25 | |
| (Uобр = 40 В) КДШ2140В-5 | – | – | 0,3 | |
| Постоянное прямое напряжение диода, В * | Uпр |
– |
– |
0,85 |
| (Iпр = 3 А, tи 2 мс, Q 50) | ||||
| КДШ2140А-5 | ||||
| КДШ2140Б-5 | – | – | 0,7 | |
| КДШ2140В-5 | – | – | 0,6 | |
| Пробивное напряжение диода, В | Uпроб |
100 |
– |
– |
| (Iобр = 10 мА, tи 2 мс, Q 50) | ||||
| КДШ2140А-5 | ||||
| КДШ2140Б-5 | 60 | – | – | |
| КДШ2140В-5 | 40 | – | – | |
| Общая емкость диода, пФ * (Uобр = 5 В, f = 1 МГц) | Сд |
– |
– |
150 |
| КДШ2140А-5 | ||||
| КДШ2140Б-5 | – | – | 190 | |
| КДШ2140В-5 | – | – | 270 | |
| * Параметры, проверяемые в составе ГС. | ||||
Отзывы
Отзывов пока нет.