Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2102А-5, КДШ2102Б-5, КДШ2102В-5 предназначены для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.
| Наименование параметра, режим и условия измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Значение параметра | ||
| Мин. | Типовое | Макс. | ||
| Постоянный обратный ток диода, | Iобр |
– |
– |
0,5 |
| (tи 300 мкс, Q 100), мА | ||||
| (Uобр = 40 В) КДШ2102А-5 | ||||
| (Uобр = 60 В) КДШ2102Б-5 | – | – | 0,5 | |
| (Uобр = 100 В) КДШ2102В-5 | – | – | 0,5 | |
| Постоянное прямое напряжение диода | Uпр |
– |
– |
0,5 |
|
(Iпр = 2 А, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2102А-5 |
||||
| КДШ2102Б-5 | – | – | 0,7 | |
| КДШ2102В-5 | – | – | 0,79 | |
| Пробивное напряжение диода | Uпроб |
40 |
– |
– |
|
(Iобр = 10 мА, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2102А-5 |
||||
| КДШ2102Б-5 | 60 | – | – | |
| КДШ2102В-5 | 100 | – | – | |
| Общая емкость диода (Uобр = 5 В, f = 1 МГц), пФ | Сд | – | – | 140 |
|
Наименование параметра
(режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение параметра | Норма | ||
| КДШ2102А-5 | КДШ2102Б-5 | КДШ2102В-5 | ||
| Максимально допустимое обратное напряжение диода, В | Uобр,max | 40 | 60 | 100 |
|
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение диода
(Q > 2, f = 15 Гц), В |
Uобр,и,п,max | 40 | 60 | 100 |
|
Максимально допустимый средний прямой ток диода
(Тср 25 С, f 15 Гц, Q 2), А * |
Iпр,ср,max | 2 | 2 | 2 |
|
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода
(Тср 25 С, Q 2, f 15 Гц), А * |
Iпр,и,п,max |
12 |
12 |
12 |
|
Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток для единичной синусоидальной полуволны длительностью 5 мс
(Тср 25 С), А |
Iпр,и,нп,max |
50 |
50 |
50 |
| Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер,max | 150 | 150 | 150 |
| * При сборке в корпус КТ-28-1 | ||||
Отзывы
Отзывов пока нет.