Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2101А-5, КДШ2101Б-5, КДШ2101В-5 предназначены для использования в гибрилных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.
Наименование параметра, режим и условия измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Значение параметра | ||
Мин. | Типовое | Макс. | ||
Постоянный обратный ток диода, |
Iобр |
– |
– |
0,5 |
(tи 300 мкс, Q 100), мА | ||||
(Uобр = 40 В) КДШ2101А-5 | ||||
(Uобр = 60 В) КДШ2101Б-5 | – | – | 0,5 | |
(Uобр = 100 В) КДШ2101В-5 | – | – | 0,5 | |
Постоянное прямое напряжение диода |
Uпр |
– |
– |
0,5 |
(Iпр = 1 А, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2101А-5 |
||||
КДШ2101Б-5 | – | – | 0,7 | |
КДШ2101В-5 | – | – | 0,79 | |
Пробивное напряжение диода |
Uпроб |
40 |
– |
– |
(Iобр = 10 мА, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2101А-5 |
||||
КДШ2101Б-5 | 60 | – | – | |
КДШ2101В-5 | 100 | – | – | |
Общая емкость диода
(Uобр = 5 В, f = 1 МГц), пФ |
Сд |
– |
– |
110 |
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение параметра | Норма | ||
КДШ2101А-5 | КДШ2101Б-5 | КДШ2101В-5 | ||
Максимально допустимое обратное напряжение диода, В | Uобр,max | 40 | 60 | 100 |
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение диода
(Q > 2, f = 15 Гц), В |
Uобр,и,п,max | 40 | 60 | 100 |
Максимально допустимый средний прямой ток диода
(Тср 25 С, f 15 Гц, Q 2), А * |
Iпр,ср,max | 1 | 1 | 1 |
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода
(Тср 25 С, Q 2, f 15 Гц), А * |
Iпр,и,п,max |
10 |
10 |
10 |
Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток для единичной синусоидальной полуволны длительностью 5 мс
(Тср 25 С), А |
Iпр,и,нп,max |
40 |
40 |
40 |
Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер,max | 150 | 150 | 150 |
* При сборке в корпус КТ-28-1 |
Отзывы
Отзывов пока нет.