Описание
Микросхемы интегральные 142ЕР1Н4ИМ – регулируемые стабилизаторы напряжения параллельного типа, предназначенные для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения, в частности, для работы в источниках вторичного электропитания. Категория качества ВП.
Обозначение технических условий АЕЯР.431420.365-01ТУ. Диапазон рабочих температур от – 60 до + 125С. Корпусное исполнение: кристаллы на общей пластине для 142ЕР1Н4ИМ.
Требования по стойкости к воздействию специальных факторов
Микросхемы должны быть стойкими к воздействию специальных факторов с характеристиками 7И1,7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4 – по группе исполнения 1Ус, 7К1, 7К4 – по группе исполнения 1К.
Требования к специальным факторам с характеристиками 7И4, 7И10, 7И11, 7С3, 7С6, 7К3, 7К6, 7К9, 7К10, 7К11, 7К12 не предъявляются.
Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов с характеристиками 7И1, 7И6 временная потеря работоспособности микросхем. По истечении 2 мс от начала воздействия работоспособность восстанавливается.
Уровень бессбойной работы по характеристике 7И8 должен быть не хуже 0.001х1Ус.
Критерием работоспособности микросхем является параметр относительное изменение минимального напряжения стабилизации UК min и приводится в ТУ исполнения.
Микросхемы обладают электрической прочностью к воздействию одиночных импульсов напряжения с параметрами:
- длительность импульса 1 мкс.
Требования по надежности
Наработка до отказа в режимах и условиях эксплуатации, допускаемых ТУ, при температуре окружающей среды не более (65+5)С не менее 100000 ч и не менее 120000 ч в следующем облегченном режиме: Токр = (65+5)С, Р.
Указания по эксплуатации
При монтаже микросхем должны исключаться передача усилий на корпус микросхемы, а также попадание на корпус флюса и припоя.
Порядок подачи и снятия входных сигналов на микросхемы должен быть следующим:
- на анод;
- на управляющий электрод;
- на катод;
- снятие в обратном порядке.
Обозначение микросхем при заказе
Микросхема 142ЕР1Н4ИМ АЕЯР.431420.365-01 ТУ, РД 11 0723.
Параметры | Значение |
Диаметр пластины, мм | 100 |
Размер кристалла, мм | 1,35х0,99 |
Толщина пластины, мм | 0,42 |
Металлизация планарной стороны | Al – Si (1%) |
Непланарная сторона | подложка p-типа |
Пассивация | Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло |
Отзывы
Отзывов пока нет.